삼성전자 “4세대 10나노 D램으로 반도체 초격차 지속”

삼성전자 “4세대 10나노 D램으로 반도체 초격차 지속”

wind 2021.03.17 11:11

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삼성전자가 올해 4세대 10나노급 디램, 7세대 브이낸드 개발로 메모리 반도체 분야의 초격차를 이어가겠다고 밝혔다.

김기남 삼성전자 DS부문장은 17일 경기도 수원의 수원컨벤션센터에서 열린 삼성전자 주주총회에서 "올해 미-중 갈등, 환율 하락 등 불확실성이 지속되는 반면 경제성장률은 개선될 것으로 예상된다"며 "5G·인공지능·사물인터넷 등이 산업과 경제 전반에 확산되고 있어 다양한 반도체 수요의 확대로 이어질 것"이라고 경영 현황을 설명했다.

이어 "지난해 D램, 낸드, DDI, OLED 등제품은 점유율 1위로 시장을 견인했다"며 "D램 업계 최초로 EUV 공정 양산 체제를 구축하고 6세대 V낸드 전환을 가속화하는 등 차세대 기술 리더십을 강화하며 미래에 대비하고 있다"고 말했다.